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制作光敏电阻的材料主要有硅、锗、---1镉、锑化铟、---铅、---、---等。---1镉光敏电阻对可见光敏感,用硫1化镉单晶制造的光敏电阻对x射线、γ射线也敏感;---铅和锑化铟对红线外线光敏感。利用这些光敏电阻可以制成各种光探测器。感光面积大的光敏电阻,可以获得较大的明暗电阻差。如国产625-a型---1镉光敏电阻,水循空气能,其光照电阻小于50千欧,暗电阻大于50兆欧。2、光电二极管光电二极管的管芯也是一个pn结,只是结面积比普通二极管大,空气能公司,便于接收光线。
扩散的结果使得接面附近的n型半导体失去电子得到空穴而带正电,p型半导体失去空穴得到电子而带负电。因为电荷密度不均因此在接面附近产生电场,如果有自由电子或空穴在电场内产生,则会因为受到电场的作用而移动,自由电子向n型半导体移动,而电洞向p型半导体移动,因此这个区域缺乏自由电子或空穴而称之为空乏区。当光照射在空乏区内将硅原子的电子激发产生光生电子与空穴对,空气能---排,电子与空穴对会因为电场作用而使电池内的电荷往两端集中,此时只要外加电路将两端连接即可利用电池内的电力
导致靶面各单元的电阻值不同。与较亮像素对应的靶单元阻值较小,空气能,与较暗像素对应的靶单元阻值较大,这样一幅图像上各像素的不同亮度就表现为靶面上各单元的不同电阻值,原来按照明暗分布的“光像”就变成了相应的“电像”。从电子枪阴极发出的电子,在电子枪电场作用下高速射向靶面,并在偏转磁场作用下按照扫描规律扫过靶面上的各个单元。当电子束接触到靶面某个单元时,使阴极、光电靶、负载电阻rl及电源e构成一个回路。
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