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半导体材料的电导率是由载流子浓度决定的。载流子就是由半导体原子 逸出来的电子及其留下的空位----- 空穴。电从原子中逃逸出来,必须吉凶服原子的束缚而做功,而光照正是向电子提供能量,使它有能力逃逸出来的一种形式。因此,光照可以改变载流子的浓度,空气能,从而必变半导体的电导率。光电导器件主要有光敏电阻、光电二极管光电三极管等。1、光敏电阻这是一种半导体电阻。在没有光照时,电阻很大;在一定波长范围的光照下,空气能安装,电阻值明显变小。
制作光敏电阻的材料主要有硅、锗、---1镉、锑化铟、---铅、---、---等。---1镉光敏电阻对可见光敏感,用硫1化镉单晶制造的光敏电阻对x射线、γ射线也敏感;---铅和锑化铟对红线外线光敏感。利用这些光敏电阻可以制成各种光探测器。感光面积大的光敏电阻,可以获得较大的明暗电阻差。如国产625-a型---1镉光敏电阻,其光照电阻小于50千欧,暗电阻大于50兆欧。2、光电二极管光电二极管的管芯也是一个pn结,只是结面积比普通二极管大,空气能工程,便于接收光线。
在硅中加入五价原子后称之为n型半导体,加入三价原子后称之为p型半导体。n型半导体及p型半导体虽然带有自由电子或空穴但本身仍然保持电中性,如果n型半导体及p型半导体内杂质浓度均匀分布则内部没有电场存在。若将n型半导体及p型半导体接和在一起,会因为两边自由电子与空穴的浓度不同产生扩散。n型半导体中自由电子浓度较高,因此自由电子由n型半体向p型半导体扩散,同样的空穴会由p型半导体向n型半导体扩散。
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