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半导体材料的电导率是由载流子浓度决定的。载流子就是由半导体原子 逸出来的电子及其留下的空位----- 空穴。电从原子中逃逸出来，必须吉凶服原子的束缚而做功，而光照正是向电子提供能量，使它有能力逃逸出来的一种形式。因此，光照可以改变载流子的浓度，从而必变半导体的电导率。光电导器件主要有光敏电阻、光电二极管光电三极管等。1、光敏电阻这是一种半导体电阻。在没有光照时，电阻很大;在一定波长范围的光照下，电阻值明显变小。
只有当光照射pn结时才能使耗尽层内产生载流子(电子-空穴对)，太阳能，载流子被结内电场加速形成光电流。利用该原理制成的光电二极管称为耗尽层光电二极管。耗尽层光电二极管有pin层、pn层、金属-半导体型、异质型等ccd(charge coupled device)即电荷耦合器件，通过输入面上光电信号逐点的转换、储存和传输，太阳能系统，在其输出端产生一时序信号。随着科技的进步，ccd技术日臻完善，已广泛用于安全防范、电视、工业、通信、远程教育、可视网络1电话等领域。
硅光电池就是一个大面积pn结。光照可以使薄薄的p型区产生大量的光生载流子。这些光生电子和空穴，会向pn结方向扩散。扩散过程中，一部分电子和空穴复合消失，大部分扩散到pn结边缘。在结电场的作用下，大部分光生空穴被电场推回p型区而不能穿越pn结；大部分光生电阻却受到结电场的加速作用穿越pn结，到达n型区。随着光生电子在n型区的积累及光生空穴在p型号区的积累，会在在pn对的两侧产生一个稳定的电位差，这就是光生电动势。
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