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半导体材料的电导率是由载流子浓度决定的。载流子就是由半导体原子 逸出来的电子及其留下的空位----- 空穴。电从原子中逃逸出来，必须吉凶服原子的束缚而做功，空气能---排，而光照正是向电子提供能量，商用空气能，使它有能力逃逸出来的一种形式。因此，光照可以改变载流子的浓度，从而必变半导体的电导率。光电导器件主要有光敏电阻、光电二极管光电三极管等。1、光敏电阻这是一种半导体电阻。在没有光照时，电阻很大;在一定波长范围的光照下，空气能热泵，电阻值明显变小。
当光电池两端接有负载时，将有电流流过负载，起着电池的作用。硅光电池的用途极度为广泛。主要用于下述几个方面：能源----硅光电池串联或并联组成电池组与镍镉电池配合、可作为人造成卫1星、宇宙飞船、航标灯、无---象站等设备的电源；也可做电子手表、电子计算器、小型号汽车、---等的电源。光电检测器件----用作近红外探测器、光电读出、光电耦合、激光准直、电影还音等设备的光感受器。
光电效应当电子从外界获得能量时将会跳到较高的能阶，空气能，获得的能量越多跳的能阶也越高，电子处在较高的能阶时并不稳定，很快就会把获得的能量释放回到原来的能阶。如果电子获得的能量够高就摆脱原子核的束缚成为自由电子，电子空出来的位置则称为空穴。自由电子可能会因为摩擦或碰撞等因素损失能量，后受到空穴的吸引而复合。例如，硅的外层电子要成为自由电子需要吸收1.1ev的能量，当硅外层电子吸收到的光能量超过1.1ev时将会产生自由电子及空穴
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